MOSFET、IGBT在感應加熱電源中的應用

以現(xiàn)代電力半導體功率器件為核心的逆變感應加熱電源，無論應用什么類型的半導體功率器件，無論是電流源負載并聯(lián)諧振逆變器還是電壓源負載串聯(lián)諧振逆變器，無論應用的工作電流頻率如何，組成感應加熱電源的電路組件基本相同，功能模塊化特性更加明顯。不僅電路簡單，而且組裝非常方便。通過簡單的接線端子或航空插件，連接各種功能模塊，即形成感應加熱電源。

近幾年來，由于MOSFET、IGBT器件制造工藝和水平的不斷提高，與其它電力半導體器件相比，MOSFET、IGBT在感應加熱電源中的應用也越來越多。由MOSFET和IGBT功率模塊組成的感應加熱電源更容易使感應加熱裝置模塊化、集成組裝結(jié)構(gòu)，其體積和質(zhì)量比晶閘管和電子管組成的感應加熱電源大大降低，同時可以實現(xiàn)感應加熱電源的高頻工作。

海瑞拓小編成感應加熱電源的各功能單元進行簡要描述外，海瑞拓小編還對表征感應加熱電源的主要技術(shù)性能要求進行了描述，包括性能參數(shù)、可靠性和安全性等相關(guān)指標，重點介紹了各組成單元的功能描述。